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パワーエレクトロニクス回路層ユニット誘致準備

■対象大学 (国際シンポジウムに招聘)
アーカンソー大学
Alan Mantooth 教授

■本学担当教員
電気電子工学系
小林　和淑 教授

招致のための基盤づくり：SiCパワーデバイス用のゲートドライバを試作

SiCパワーデバイスの特性評価

パワーエレクトロニクスは、電気自動車や太陽電池などのコンバータ、産業機器、基幹電力系に至るまで様々なところで利用されています。それぞれに求められる条件に応じて、パワーデバイスと制御回路のすり合わせが重要です。従来はSi系パワーデバイスが主流でしたが、高耐圧のGaN系やSiC系のパワーデバイスが登場しており、これらの特性評価が必要となっています。我々はSiCデバイスの高速スイッチングに対応できる13.56MHzの制御回路(ゲートドライバ）を実現すべく、小林教授の研究室では、SiCパワーデバイス用の高速ゲートドライバを試作し、その特性評価を行っています。今後、多様なSiCデバイスの評価を行うべく、本評価システムを足がかりに共同研究、ユニット誘致へと結びつけていくことを検討しています。

図1 13.56MHzゲートドライバLSIを高耐圧0.18μmプロセスにより試作

図2 試作ゲートドライバLSIを用いたSiC MOSFETのスイッチング回路

パワーデバイス回路設計のフロントランナーをシンポジウムに招待

アーカンソー大学のAlan Mantooth教授は、アナログ・デジタルおよびその混合であるミックストシグナルの回路設計の研究開発を精力的に行っており、最近ではSiCを用いた高温動作のIC回路を試作するなど、パワーエレクトロニクスの研究でも大きな成果を上げています。本学では、2016年10月にMantooth教授を筆頭に、国内外の研究者を招き、シンポジウムを開催する予定です。